早盤
三大指數集體高開，滬指高開0.48%，深成指高開0.63%，創業板指高開1.24%，第三代半導體、風電、醫療器械等板塊漲幅居前。
A股“新寵”
我國將大力發展第三代半導體，將其寫入“十四五”計劃草案。消息一出，第三代半導體產業頓時成為炙手可熱的半導體寵兒。
什麼是第三代半導體
第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
A股“新寵”？26隻核心優質的第三代半導體概念股（名單）一覽
名單如下：
應用
第三代半導體材料廣泛用於制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件，應用於半導體照明、5G通信、衛星通信、光通信、電力電子、航空航天等領域。第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。
碳化矽（SiC）（第三代）具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用於高頻高溫的應用場景，相較於矽器件（第一代），可以顯著降低開關損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件（第一代）相比，氮化鎵（GaN）（第三代）具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
第三代半導體材料具有抗高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等特性，相比第一代矽（Si）基半導體可以降低50%以上的能量損失，同時使裝備體積減小75%以上。
第三代半導體屬於後摩爾定律概念，制程和設備要求相對不高，難點在於第三代半導體材料的制備，同時在設計上要有優勢
第三代半導體現狀
由於制造設備、制造工藝以及成本的劣勢，多年來第三代半導體材料隻是在小范圍內應用，無法挑戰Si基半導體的統治地位。
目前碳化矽（SiC）襯底技術相對簡單，國內已實現4英寸量產，6英寸的研發也已經完成。
氮化鎵（GaN）制備技術仍有待提升，國內企業目前可以小批量生產2英寸襯底，具備瞭4英寸襯底生產能力，並開發出6英寸樣品。
數據顯示，到2025年，第三代半導體市場的增長將從320億美元增長至434億美元，復合年增長率為6.3％。
由於第三代半導體材料及應用產業發明並實用於本世紀初年，各國的研究和水平相差不遠，國內產業界和專傢認為第三代半導體材料成瞭我們擺脫集成電路（芯片）被動局面，實現芯片技術追趕和超車的良機。
我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟，處於重要窗口期。但目前仍面臨多重緊迫性。其中，光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處於並跑狀態;功率半導體材料和器件、射頻材料和器件與國際先進水平相比處於跟跑狀態。