光刻膠市場不斷擴容，國產化率提升空間大！
光刻膠是利用化學反應轉移圖像的媒體。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構成.根據富士經濟數據，光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻膠含量約為80%-90%。主要成分包括樹脂、單體、光引發劑及添加助劑四類，其中，樹脂含量約占主要成分的50%-60%，單體含量約占35%-45%（龐玉蓮，《光刻材料的發展及應用》）。根據前瞻產業研究院數據，2018年全球光刻膠市場規模約87億美元，2010年至今，年均復合增長率（CAGR）約 5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，2022年全球光刻膠市場規模將超過100 億美元。
投資看點：
1、光刻膠集成電路制造關鍵材料
技術壁壘高光刻膠由樹脂、溶劑、光引發劑、添加劑四部分組成。光刻膠產品種類多、專用性強，需要長期技術積累，對企業研發人員素質、行業經驗、技術儲備等都具有極高要求，企業需要具備光化學、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術，具有較高的技術壁壘。光刻膠的品種很多，使用的工藝條件依光刻膠的品種不同而有很大的不同。按曝光波長不同可分為紫外（300～450nm）光刻膠、深紫外（180～265 nm）光刻膠、電子束光刻膠（0.01～0.001nm）、離子束光刻膠（＜0.001nm）、x 射線光刻膠等。
按照形成圖形的極性可分為正性光刻膠和負性光刻膠。受光照時發生分解反應，曝光後溶解度增大、光刻得到正圖形的光刻膠稱正型膠；受光照時發生交聯反應，溶解度減小、 光刻得負圖形的為負型膠。隨著曝光波長變化，光刻膠中的關鍵組分，如成膜樹脂、感光劑、添加劑也隨之發生相應的變化，光刻膠的綜合性能也不斷提高。
2、光刻工藝是一種多步驟的圖形轉移工藝。
大部分工藝都包含十個步驟：（1）表面準備， 清洗並甩幹晶圓表面；（2）塗膠，用旋塗法在表面塗敷一層薄的光刻膠；（3）軟烘焙，通過加熱使光刻膠溶劑部分蒸發；（4）對準和曝光，掩模版與晶圓的精確對準，並使光刻膠曝光；（5）顯影，去除非聚合的光刻膠；（6）硬烘焙，對溶劑的繼續蒸發；（7）顯影檢查，檢查表面的對準和缺陷；（8）刻蝕，將晶圓頂層通過光刻膠的開口部分去除；（9）去除光刻膠，將晶圓上的光刻膠去除；（10）最終檢查，對於刻蝕的不規則性和其他問題進行表面檢查。 光刻膠屬高技術產品，應用中要求光刻膠具有高分辨率、強粘附性，有良好的耐熱性、耐堿性、抗蝕性、工藝寬容度大等特性。
在集成電路領域，光刻膠的關鍵性能指標主要有4點。（1）分辨率：在特定設備和工藝條件下光刻膠所能達到的最小分辨率，決定瞭芯片的集成度及運算速度，對光刻膠而言，影響其分辨率的主要因素是主體樹脂的結構及與之配合的感光材料。（2）感光速度：光刻膠受光照射發生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內芯片制造的產出越高，經濟效益越好。另一方面，過快的感光速度會引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩定性。（3）工藝窗口：光刻膠性能，特別是線寬受工藝波動的影響，光刻膠線寬受曝光能量變化的影響為曝光寬容度（EL）；光刻膠線寬受焦距變化的影響為焦深（DoF）。（4）抗刻蝕能力：光刻膠對光刻工藝後其他工藝的阻擋能力，具體表現在耐熱性（在高溫下不發生形變）、抗刻蝕性（在刻蝕過程中，光刻膠的損失較小，有較大的刻蝕選擇比）、抗離子註入能力（在一定厚度下對離子註入的抵抗，確保不被所註入的離子擊穿的能力）。
3、光刻膠市場不斷擴容，國產化率提升空間大
制程進步+堆疊層數增加，光刻膠市場增長.技術進步促使光刻膠耗用量增長，國產化率有望不斷的提升。隨著集成電路制造工藝的不斷進步，要求芯片具備更小的特征尺寸與更多的堆疊層數，對光刻膠提出新的要求。一方面要求光刻工藝步驟數增加，另一方面要求光刻膠向高端發展，具備更短的曝光波長和更高的分辨率。邏輯芯片方面，我們以 FinFET 為例，隨著制程從 28nm 進步到 7nm，芯片的集成度大幅提升，邏輯閘密度不斷提升。這就要求 FinFET 制備過程中使用的光刻膠的性能能夠同步提升，從 ArF 光刻到 ArF 浸潤式光刻，到多重曝光，再到 EUV 光刻。同時更先進的邏輯芯片工藝往往包含更多的光刻工藝步驟，為光刻膠帶來更多的增長機會。
綜上所述數據信息顯示：
1、光刻膠集成電路制造關鍵材料.技術壁壘高。光刻膠產品種類多、專用性強，需要長期技術積累，對企業研發人員素質、行業經驗、技術儲備等都具有極高要求，企業需要具備光化學、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術，具有較高的技術壁壘。
2、光刻工藝是一種多步驟的圖形轉移工藝。
3、光刻膠市場不斷擴容，國產化率提升空間大。制程進步+堆疊層數增加，光刻膠市場增長.技術進步促使光刻膠耗用量增長，國產化率有望不斷的提升。
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